Un brevet recent dezvăluie metoda inovatoare prin care Huawei ar putea fabrica cipuri de 2 nm, utilizând litografia DUV. Această tehnologie, considerată depășită, rămâne singurul accesibil pentru China după impunerea sancțiunilor de către SUA și aliații lor. Brevetul, depus în 2022 și descoperit de cercetătorul Frederick Chen, prezintă o tehnică avansată de modelare multiplă, având potențialul de a atinge un pas metalic de 21 nm, apropiindu-se astfel de performanțele cipurilor de 2 nm produse de TSMC și Samsung.

Metoda propusă de Huawei se bazează pe un flux optimizat numit Self-Aligned Quadruple Patterning (SAQP). Această abordare reduce expunerile DUV la doar patru, substanțial mai puțin decât în procesele tradiționale. Scopul este să permită o evoluție rapidă de la cipurile Kirin 9030 la generația de 2 nm, ocolind provocările impuse de tehnologia EUV, inaccesibilă pentru companie.

Cu toate acestea, procesarea multiplă implică un randament scăzut, generând pierderi semnificative în fabricare și costuri mult mai ridicate comparativ cu procesele bazate pe EUV. Aceasta este motivul pentru care marii jucători din industrie au adoptat tehnologia EUV, care asigură o producție mai rapidă și eficientă.

Dacă Huawei și SMIC reușesc să optimizeze fluxul propus, impactul va fi semnificativ. Acest succes ar demonstra că sancțiunile americane nu pot opri progresul tehnologic al Chinei, apropiind astfel țara de independența în domeniul semiconductorilor. Aceasta nu este doar o realizare tehnologică, ci și o afirmație a capabilităților industriale ale Chinei pe scena globală. Continuarea acestui trend ar putea influența profund competitivitatea globală în domeniul tehnologic.

Sursa: Ziare.com